BiCuXO (X = S、Se、Te) 作为层状氧化物,具有良好的电输运性能以及低的热导率,是
一种潜在的性能优异的热电材料。材料物理性能的优化离不开对晶体本征性能的研究。本文首先
详细介绍BiCuXO 晶体的生长工艺,通过生长方法和元素掺杂调节载流子浓度,改善其电输运性
质,并与文献报道的陶瓷样品进行了对比。其次介绍BiCuXO 晶体的电输运性能和热输运性能,
电输运性能主要包括导电行为、散射机制及磁阻演化;热输运性能主要是通过非弹性中子散射和
拉曼实验研究,并结合第一性原理计算研究其极低热导率的物理机制。最后介绍了基于热电效应
BiCuSeO 晶体在光热电领域的应用。本文总结了BiCuXO 晶体的生长方法,研究其电学、热学
以及光热电性能,希望为BiCuXO 性能的优化提供思路。