单壁碳纳米管 (SWCNTs) 由于其优异的电导、机械和热学性能,具备广泛应用前景。目
前,浮动催化剂化学气相沉积法 (FCCVD) 是大规模制备 SWCNTs 的常用方法。然而,利用该方
法获得的 SWCNTs 的纯度和质量不足,并且样品的导电属性可控性差,金属单壁碳纳米管 (mSWCNTs) 与半导体单壁碳纳米管 (s-SWCNTs) 并存,限制了其进一步应用。为了连续化生长高
质量、高纯度,具备单一导电属性的 SWCNTs,本论文提出了一种通过放置管塞将 SWCNTs 滞
留在高温区以实现持续生长,并加入电场实现单一导电属性的 SWCNTs 选择性生长的方法,最终
得到高纯度的半导体富集的 SWCNTs。我们通过光学、热重分析和扫描电子显微镜对 SWCNTs
进行系统的测量与分析,研究 SWCNTs 纯度与 s-SWCNTs 的占比。该工作为大规模制备高质量
高纯度的 SWCNTs 提供了方案,有望加速其工业化应用。