基于铁电畴工程的薄膜铌酸锂在量子光学和非线性光学领域具有重要的应用前景。在 x 切
薄膜铌酸锂脊型波导的周期极化技术中，波导深度方向贯穿铁电畴结构的制备仍有待攻克。本研
究提出了一种基于二氧化硅覆盖层的铌酸锂脊型波导高温辅助极化技术。引入二氧化硅覆盖层可
使电场在脊形波导结构内部更加均匀，实现深度方向贯穿畴结构的制备；采用高温极化，可以降
低二氧化硅层的电阻率与铌酸锂层的矫顽场，在合适的外加电压下实现波导区域内有效的畴反转。
实验上采用优化的温度和外加电压等优化参数条件，获得了沿波导厚度方向较为完整且周期稳定
的铁电畴结构。本文中发展的技术可为研制高性能的薄膜铌酸锂非线性光子芯片提供支撑。
