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2017年, 第37卷, 第3期　刊出日期：2020-10-12    下一期

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GaN 基半导体异质结构的外延生长、物性研究和器件应用 沈波，唐宁，杨学林，王茂俊，许福军，王新强，秦志新 2017 (3):  81-97.  PDF(3306KB) ( 1033 )   GaN 基宽禁带半导体异质结构具有非常强的极化效应、高饱和电子漂移速度、高击穿场 强、高于室温的居里转变温度、和较强的自旋轨道耦合效应等优越的物理性质，是发展高功率微 波射频器件不可替代的材料体系，也是发展高效节能功率电子器件的主要材料体系之一，在半导 体自旋电子学器件上亦有潜在的应用价值。GaN 基异质结构材料、物理与器件研究已成为当前 国际上半导体科学技术的前沿领域和研究热点。本文从GaN 基异质结构的外延生长、物理性质 及其电子器件应用三个方面对国内外该领域近年来的研究进展进行了系统的介绍和评述，并简要 介绍了北京大学在该领域的研究进展。 相关文章 | 计量指标

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轨道角动量态的量子存储 史保森，丁冬生，张伟 2017 (3):  98-118.  PDF(6644KB) ( 758 )   轨道角动量(OAM) 光束在精密测量、微小粒子的操控以及基础物理研究等领域具有重要的 应用。基于OAM 编码的光信息处理由于其大信道容量的优点成为经典和量子通信领域的研究热 点，并已在近几年取得了许多突破性进展。在量子信息领域，量子中继是克服通信保真度随传输距 离呈指数衰减、实现长距离量子通信的关键技术，其中用于存储量子信息的光量子存储器是组成量 子中继的关键器件。尽管人们已成功实现了编码于偏振、路径、time bin 等自由度的量子态的存 储，然而到2013 年以前，存储编码于OAM 自由度的量子态的量子存储器仍未实现。近年来我们 研究组一直专注于OAM 量子态的存储实验研究。本文在概述了量子存储器的各项性能标准后，着 重介绍我们组在OAM量子态存储方面取得的一系列研究进展：包括OAM 量子比特(qubit) 和量 子三维态(qutrit)、二维和高维OAM 纠缠态以及包含OAM 自由度的超纠缠和杂化纠缠的量子存 储。这些进展为未来构建高维量子信息网络奠定坚实的基础。 史 相关文章 | 计量指标

Commentary Column

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为拓扑绝缘体穿上红磁畴 刘俊明 2017 (3):  119-120.  PDF(1659KB) ( 346 )   相关文章 | 计量指标

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拓扑畴缺陷输给了维度？ 刘俊明 2017 (3):  121-123.  PDF(2299KB) ( 340 )   相关文章 | 计量指标