物理学进展 ›› 2024, Vol. 44 ›› Issue (6): 259-277.doi: 10.13725/j.cnki.pip.2024.06.001
所属专题: 2024年, 第44卷
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田浩1,董松涛2,李伊驰1,吕洋洋1,周健1,陈延彬3,姚淑华1
TIAN Hao1, DONG Song-tao2, LI Yi-chi1, LÜ Yang-yang1, ZHOU Jian1, CHEN Yan-bin3, YAO Shu-hua1
摘要:
BiCuXO (X = S、Se、Te) 作为层状氧化物,具有良好的电输运性能以及低的热导率,是 一种潜在的性能优异的热电材料。材料物理性能的优化离不开对晶体本征性能的研究。本文首先 详细介绍BiCuXO 晶体的生长工艺,通过生长方法和元素掺杂调节载流子浓度,改善其电输运性 质,并与文献报道的陶瓷样品进行了对比。其次介绍BiCuXO 晶体的电输运性能和热输运性能, 电输运性能主要包括导电行为、散射机制及磁阻演化;热输运性能主要是通过非弹性中子散射和 拉曼实验研究,并结合第一性原理计算研究其极低热导率的物理机制。最后介绍了基于热电效应 BiCuSeO 晶体在光热电领域的应用。本文总结了BiCuXO 晶体的生长方法,研究其电学、热学 以及光热电性能,希望为BiCuXO 性能的优化提供思路。
中图分类号: