物理学进展 ›› 2012, Vol. 32 ›› Issue (4): 199-232.
• • 上一篇
许小红,李小丽,齐世飞,江凤仙,全志勇,范九萍,马荣荣
发布日期:
Published:
摘要: 稀磁半导体是一种能同时利用电子的电荷和自旋属性,并兼具铁磁性能和半导体性能的自旋电子学材料。本文主要介绍ZnO、In2O3等氧化物稀磁半导体的研究进展,一是从实验角度介绍其制备、结构、磁性、电输运性质等特性;二是从理论角度对其磁交换能、电子结构、居里温度和磁性产生的机制进行阐述;三是在稀磁半导体的基础上进一步延伸,介绍其相关的异质结构的磁电阻效应,并在文章的最后对氧化物稀磁半导体的研究进行总结和展望。
关键词: 氧化物稀磁半导体; 自旋注入; 异质结构;
许小红,李小丽,齐世飞,江凤仙,全志勇,范九萍,马荣荣. 氧化物稀磁半导体的研究进展[J]. 物理学进展, 2012, 32(4): 199-232.
0 / / 推荐
导出引用管理器 EndNote|Ris|BibTeX
链接本文: https://pip.nju.edu.cn/CN/
https://pip.nju.edu.cn/CN/Y2012/V32/I4/199