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物理学进展

1997/6/20

第 17 卷 第 2 期 pp.119-219

蔡建旺; 赵见高; 詹文山; 沈保根
本文综述了自旋极化输运过程中巡游电子的自旋极化、自旋相关的散射及自旋弛豫等三方面的内容;全面总结了铁磁金属的磁电阻效应(AMR)、磁性金属多层膜和颗粒膜的巨磁电阻效应(GMR)、氧化物铁磁体的特大磁电阻效应(CMR)以及磁隧道结的巨大隧道电阻效应(TMR)研究中具有代表性的实验结果及理论模型;简单介绍了新生的磁电子器件—磁电阻型随机存取存储器(MRAM)和全金属自旋晶体管的工作原理和工作过程。
于 2010/08/26 发布 (22 页)
pp. 119-140  全文: [PDF] 

王荫君
本文着重从磁存储出发讨论了磁光存储,硬磁盘存储的现状和未来发展。沿用传统的驱动器,它们的面存储密度的极限大致在10Gbits/in2的量级,这主要是由存储材料性能和信息存取模式(磁头或光头)的限制。为要进一步提高存储密度,需采取类似近场光学、原子力、磁力和扫描隧道显微镜这样的现代手段来进行信息的存储,但要实现,需要一段较长的时间。在磁存储获得发展的同时,非磁的光存储介质的应用得到了开发,主要是CD-ROM(只读式),CDR(写一次)和PD(相变型)。正是磁和光存储介质在信息存储中的应用,使当今信息技术中一重要领域——信息存储显得生气勃勃。
于 2010/02/06 发布 (9 页)
pp. 150-158  全文: [PDF] 

翟宏如; 鹿牧; 赵宏武; 夏钶
本文总结了多层膜中巨磁电阻的物理机制及其研究进展。为了对多层膜磁电阻的各个可能来源有全面的认识,首先简述了正常磁电阻和各向异性磁电阻的原理,然后在本文的主要部分,着重介绍了铁磁金属和多层膜中的自旋相关散射与双电流模型及在多层膜巨磁电阻基础研究和材料研究领域的进展,列举出具有巨磁电阻的各种多层结构。最后报道了巨磁电阻的主要应用。
于 2010/02/08 发布 (20 页)
pp. 159-178  全文: [PDF] 

都有为
纳米材料是指三维空间尺度中至少有一维处于纳米量级的材料,通常为1—100nm,如纳米微粒,纳米线、管,纳米薄膜或其组合材料,近年来纳米材料中的巨磁电阻效应颇受人们青睐,本文将重点介绍颗粒膜,颗粒合金薄带,非连续多层膜,颗粒—薄膜混合型膜以及磁性隧道结的巨磁电阻效应。
于 2010/02/08 发布 (20 页)
pp. 180-199  全文: [PDF] 

戴道生 , 熊光成 和 吴思诚
REMnO3(RE=La,Pr,Nd,Cd等)具有钙钛矿结构。如用二价碱土金属部分替代稀土元素,可形成掺杂锰氧化物RE1-xTxMnO3(T=Ca,Sr,Ba,Pb)。随掺杂量的增加,样品的结构和电磁性能都有很大变化。近年来在这类氧化物中还发现巨大的负磁电阻效应,其值可达106%。这类材料显示的复杂物理现象和可能的应用前景引起人们很大的兴趣。本文将概括的介绍这类氧化物的晶格结构,电子结构,电磁性能及其巨磁电阻随掺杂变化的实验结果,并对其可能的机理进行探讨。
于 2010/02/06 发布 (19 页)
pp. 201-219  全文: [PDF]