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物理学进展

1988/12/20

第 8 卷 第 4 期 pp.383-482

孙至锐
本文综述有关利用沟道效应技术从事粒子物理实验的可能性。讨论课题包括短寿命粒子的触发系统,重味粒子磁矩的测量;应用阻塞技术测量粒子寿命;沟道辐射用于粒子识别;光子束,带电粒子束的弯曲和聚焦;晶体中的Primakoff效应;生成沟道效应;以及用于长基线中微子振荡实验的粒子束。
于 2010/08/23 发布 (12 页)
pp. 383-394  全文: [PDF] 

沈学础
本文讨论半导体超晶格及量子阱导带和价带的量子化亚带或子能级之间的带间光跃迁过程。所讨论的光跃迁过程或光谱研究方法有吸收光谱、光电流谱、光荧光和荧光激发谱、调制光谱以及喇曼散射光谱。关于亚带能量状态将着重讨论量子阱中的激子效应和价带亚带混和及其对带间光跃迁的影响。
于 2010/08/23 发布 (37 页)
pp. 395-431  全文: [PDF] 

邹元爔; 汪光裕; 莫培根
本文应用半导体物理化学方法(借助某些物理测试手段)研究GaAs材料中最主要深施主能级EL2映陷的形成及其转化的一些规律。首先归纳了鉴别EL2本性的三个重要依据(化学计量比、与位错关系和低温光猝灭行为),然后着重阐述三元络合物A_(SGa)V_(As)V_(Ga)作为EL2缺陷构型的形成反应、应变模型形成机理和亚稳态机理,并利用该模型来解释EL2的主要物理和化学性质,对文献报道的EL2其它可能构型如As_(Ga)、As_(Ga)Asi、As_(Ga)V_(As)、As_(Ga)V_(Ga)、(Asi)_4、(As_(Ga))_n、V_(Ga)V_(As)和As_(Ga)V_(Ga)V_(As)等作了评述。最后还讨论了EL2与GaAs中其它深能级的关系,其中包括EL2族现象。
于 2010/08/23 发布 (32 页)
pp. 432-463  全文: [PDF] 

解笑湘; 张卫国
光原子谱(PAS)是一种测量光离解过程产生的原子平动能的新方法。例如在光离解过程中(其中R为分子自由基),产生的H原子由共振双光子过程电离。利用飞行时间谱(TOF)测量H~+离子的平动能分布,由此可获得R基的内部能量分布。PAS法还可以发展来研究那些产生其它原子光碎片的光离解过程。
于 2010/08/23 发布 (15 页)
pp. 464-478  全文: [PDF] 

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第1期 1 988年弓月规范场中单极子的某些研究…………………………………………
于 2010/02/07 发布 (4 页)
pp. 479-482  全文: [PDF]