arrow icon

物理学进展

2003/6/20

第 23 卷 第 2 期 pp.125-255

王耀俊
本文评述了各向同性和横向各向同性柱状分层固体声散射理论和实验研究进展 ,介绍了描述圆柱状界面薄层特性的弹簧模型 ,也讨论了该领域中有待进一步研究的一些问题。
于 2010/08/27 发布 (20 页)
pp. 125-144  全文: [PDF] 

王恩哥
本文较全面地从理论上研究了薄膜生长过程中原子在表面上的各种动力学表现 ,涉及的内容包括亚单层生长时 ,原子在表面上的扩散 ,粘接 ,成核 ,以及已经形成的原子岛之间的相互作用 ,兼并 ,失稳 ,退化等一系列过程。在第一部分 (即 0~ 6章 ,刊登在《物理学进展》2 3卷 1期上 )介绍了薄膜生长动力学的基础之后 ,从第 7章开始我们侧重研究一个在向同性和各向异性表面都普遍成立的原子岛尺寸大小及密度分布的标度定律 ;建立了一套研究在各向同性和各向异性表面上二维原子岛退化过程的广义动力学标度理论。基于对层间质量扩散通道的研究 ,本文提出了两种不同的原子下跃机制 ,既任意跃迁机制和选择跃迁机制 ,并做了进一步的实验验证。利用这一新的层间质量扩散机制 ,我们成功地解释了实验上观测到的三维原子岛的退化规律。更加有趣的是 ,本文讨论了应力对岛的形状和各种动力学规律的影响。在最后我们还提出了一个利用凝聚能转化来控制二维原子岛生长的方法 ,其目的是希望能够找到一种人为有效地在表面上制备低维量子结构的方法。
于 2010/08/27 发布 (47 页)
pp. 145-191  全文: [PDF] 

王克锋; 刘俊明
具有庞磁电阻效应的掺杂稀土锰氧化物因为其高的自旋极化率和自旋极化输运行为而表现出显著的低场磁电阻效应。这一效应在氧化物自旋电子学中有着深远的潜在应用前景。本文综述了国内外近年来在锰氧化物低场磁电阻增强这一研究领域的进展和存在的一些问题。全文分三个部分 ,首先概述了基于自旋极化散射和自旋极化隧穿两种输运机制的磁电阻理论 ;然后重点介绍掺杂稀土锰氧化物低场磁电阻增强的主要研究进展 ,这些进展背后的基本物理图象是通过人为引入自旋无序介质形成自旋极化散射和自旋极化隧穿 ,从而增强其低场磁电阻 ;第三部分讨论了基于掺杂稀土锰氧化物的磁性隧道结制备和输运性质。本文最后提出了锰氧化物低场磁电阻增强研究应该关注的一些物理问题。

于 2010/08/27 发布 (20 页)
pp. 192-211  全文: [PDF] 

赵耿 和 方锦清
本文首先概述现代保密通信及网络信息安全的主要概念和发展状况 ,对迄今发展的几种现代著名密码算法进行分析比较 ;然后综述国际上已经提出的一些典型的混沌保密通信方案及其应用研究的新发展。从通信角度 ,为了向实用化方向发展 ,我们将混沌通信研究中常用的混沌遮掩、混沌开关、混沌调制三种主要技术方案 ,按照实际应用需要 ,重新把它们分类为三种主要形式 ,即模 模通信、模 数 模通信和数 数通信 ,这样便于实际应用 ,易于借鉴已有知识分析各类通信的性能优劣。在评述性分析了当前国际上三种混沌保密通信方式的典型方案及其进展后 ,最后简要总结混沌保密通信的一些关键技术 ,指出今后值得研究的方向 ,并展望了混沌通信的应用前景。
于 2010/08/27 发布 (44 页)
pp. 212-255  全文: [PDF]